激光雷达发射端
LT-M1000
电源电压：5V 工作温度：-40~+125°C 驱动强度：7A峰值拉电流和5A峰值灌电流 传播延迟：小于5ns 上升时间：小于750ps (100pF负载电容) 下降时间：小于450ps(100pF负载电容) 特色功能：欠压锁定、过热保护 最小输入脉冲宽度：1ns
封装：0.8mm×1.2mm BGA2x6封装
LT-M1000D
用于GaN和硅质FET的低侧、超快栅极驱动器
用于GaN 和硅质FET的低侧、超快栅极驱动器
符合AEC-Q100 Grade-1 可靠性要求
工作频率：高达 60MHz 电源电压：5V 工作温度：-40~+125°C 驱动强度：7A峰值拉电流和 5A峰值灌电流 传播延迟：小于 5ns 上升时间：小于 750ps (100pF 负载电容) 下降时间：小于 450ps(100pF 负载电容) 最小输入脉冲宽度： 1ns 特色功能：欠压锁定、过热保护
封装：2mm×2mm DFN6L 封装
LT-M2000D
集成了40V/20A场效应管的激光管驱动器，功率FET由单通道5V/3.3V供电的多级驱动器驱动，最高瞬时电流可达20A
工作频率：高达10MHz
电源电压：5V/3.3V
工作温度：-40~+125°C
瞬时电流：最高可达20A
驱动级：多级驱动
下降时间：800ps
封装：2mm×2mm DFN6封装
LT-M2010D
集成了20V/10A场效应管的激光管驱动器，是一款单通道5V/3.3V驱动器，多级驱动级，对内部集成的高电压场效应管进行驱动，最高瞬时电流可达10A
工作频率：高达60MHz
瞬时电流：最高可达10A
UVLO和过热保护
LT-M3000
单通道驱动器，适用于LiDAR、飞行时间激光驱动器、人脸识别等场景。 内部集成高压场效应管，多级驱动级，最高瞬时电流可达60A,最高可耐压60V。
工作频率：高达30MHz
电源电压：5V
瞬时电流：最高可达60A
开启关断时间：1ns
封装：2150um×1200um WLCPS封装
LT-M4000
单通道驱动器，适用于LiDAR、飞行时间激光驱动器、人脸识别等场景。 内部集成高压场效应管，多级驱动级，最高瞬时电流可达50A，最高可耐压80V。
瞬时电流：最高可达50A
封装：2940um×1200um WLCPS封装
