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激光雷达发射端
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LT-M2000D
集成了40V/20A场效应管的激光管驱动器,功率FET由单通道5V/3.3V供电的多级驱动器驱动,最高瞬时电流可达20A
工作频率:高达10MHz
电源电压:5V/3.3V
工作温度:-40~+125°C
瞬时电流:最高可达20A
驱动级:多级驱动
下降时间:800ps
封装:2mm×2mm DFN6封装
LT-M2010D
集成了20V/10A场效应管的激光管驱动器,是一款单通道5V/3.3V驱动器,多级驱动级,对内部集成的高电压场效应管进行驱动,最高瞬时电流可达10A
工作频率:高达60MHz
电源电压:5V/3.3V
工作温度:-40~+125°C
瞬时电流:最高可达10A
驱动级:多级驱动
下降时间:800ps
UVLO和过热保护
封装:2mm×2mm DFN6封装
LT-M3000
单通道驱动器,适用于LiDAR、飞行时间激光驱动器、人脸识别等场景。 内部集成高压场效应管,多级驱动级,最高瞬时电流可达60A,最高可耐压60V。
工作频率:高达30MHz
电源电压:5V
工作温度:-40~+125°C
瞬时电流:最高可达60A
驱动级:多级驱动
开启关断时间:1ns
UVLO和过热保护
封装:2150um×1200um WLCPS封装
LT-M4000
单通道驱动器,适用于LiDAR、飞行时间激光驱动器、人脸识别等场景。 内部集成高压场效应管,多级驱动级,最高瞬时电流可达50A,最高可耐压80V。
工作频率:高达30MHz
电源电压:5V
工作温度:-40~+125°C
瞬时电流:最高可达50A
驱动级:多级驱动
开启关断时间:1ns
封装:2940um×1200um WLCPS封装
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LT-M1000
电源电压:5V
工作温度:-40~+125°C
驱动强度:7A峰值拉电流和5A峰值灌电流
传播延迟:小于5ns
上升时间:小于750ps (100pF负载电容)
下降时间:小于450ps(100pF负载电容)
特色功能:欠压锁定、过热保护
最小输入脉冲宽度:1ns封装:0.8mm×1.2mm BGA2x6封装
LT-M1000D
用于GaN和硅质FET的低侧、超快栅极驱动器
用于GaN 和硅质FET的低侧、超快栅极驱动器
符合AEC-Q100 Grade-1 可靠性要求
工作频率:高达 60MHz
电源电压:5V
工作温度:-40~+125°C
驱动强度:7A峰值拉电流和 5A峰值灌电流
传播延迟:小于 5ns
上升时间:小于 750ps (100pF 负载电容)
下降时间:小于 450ps(100pF 负载电容)
最小输入脉冲宽度: 1ns
特色功能:欠压锁定、过热保护封装:2mm×2mm DFN6L 封装