LT-M1000D栅极驱动芯片
用于GaN 和硅质FET的低侧、超快栅极驱动器
符合AEC-Q100 Grade-1 可靠性要求
产品简介
LT-M1000D 设计简约，可实现 4ns 的极快传播延迟和 1ns 的最小脉冲宽度。LT-M1000D是一款单通道低侧驱动器，专为在高速应用（ 包括LiDAR、飞行时间以及任何涉及低侧驱动器的功率转换器 ）中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。
栅极与 OUTH、OUTL 之间分别连接电阻，可针对上拉和下拉沿来独立调节开启和关断强度。
产品说明
产品优势：
◆ 提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(TSD)。
◆ LT-M1000D 采用 DFN6L 封装，满足车规级应用。
◆ pin to pin 兼容友商的LMG1025。
功能特性：
工作频率： 高达 60MHz
电源电压： 5V
工作温度： -40~+125°C
驱动强度： 7A峰值拉电流和 5A峰值灌电流
传播延迟： 小于 5ns
上升时间： 小于 750ps (100pF 负载电容)
下降时间： 小于 450ps(100pF 负载电容)
最小输入脉冲宽度： 1ns
特色功能： 欠压锁定、过热保护
产品应用：
功能框图
封装信息
封装： 2mm×2mm DFN6L 封装
