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光迹“芯”品 | LT-M1000
适用于1.5ns脉宽应用的LT-M1000 5V 7A/5A低侧GaN和MOSFET驱动器
产品简介
LT-M1000设计简约,可实现4ns的极快传播延迟和1ns的最小脉冲宽度。LT-M1000是一款单通道低侧驱动器,专为在高速应用(包括LiDAR、飞行时间以及任何涉及低侧驱动器的功率转换器)中驱动GaN FET和逻辑电平MOS FET而设计。
栅极与OUTH、OUTL之间分别连接电阻,可针对上拉和下拉沿来独立调节开启和关断强度。
产品说明
产品优势:
◆ 提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(TSD)。
◆ LT-M1000采用0.8mm*1.2mm BGA2x6的封装,最大限度地降低栅极回路电感,提高高频功率密度要求。
◆ pin to pin 兼容友商的LMG1020
功能特性:
电源电压: 5V
工作温度: -40~+125°C
驱动强度: 7A峰值拉电流和5A峰值灌电流
传播延迟: 小于5ns
上升时间: 小于750ps (100pF负载电容)
下降时间: 小于450ps(100pF负载电容)
特色功能: 欠压锁定、过热保护
最小输入脉冲宽度: 1ns
封装: 0.8mm×1.2mm BGA2x6封装
产品应用:
功能框图
封装信息
2022-04-22 09:25发布