光迹融微LT-M1000栅极驱动芯片
适用于1ns脉宽应用的LT-M1000 5V 7A/5A低侧GaN和MOSFET驱动器
产品简介
LT-M1000设计简约，可实现4ns的极快传播延迟和1ns的最小脉冲宽度。LT-M1000是一款单通道低侧驱动器，专为在高速应用（包括LiDAR、飞行时间以及任何涉及低侧驱动器的功率转换器）中驱动GaN FET和逻辑电平MOS FET而设计。
栅极与OUTH、OUTL之间分别连接电阻，可针对上拉和下拉沿来独立调节开启和关断强度。
产品说明
01优势
提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(TSD)。
LT-M1000采用0.8mm*1.2mm BGA2x6的封装，最大限度地降低栅极回路电感，提高高频功率密度要求。
pin to pin 兼容友商的LMG1020
02功能特性
用于GaN和硅质FET的低侧、超快栅极驱动器
电源电压：5V
工作温度：-40~+125°C
驱动强度：7A峰值拉电流和5A峰值灌电流
传播延迟：小于5ns
上升时间：小于750ps (100pF负载电容)
下降时间：小于450ps(100pF负载电容)
0.8mm×1.2mm BGA2x6封装
03实际应用
激光雷达
飞行时间激光驱动器
E类无线充电器
VHF谐振电源转换器
基于GaN的同步整流器
增强现实（AR）/虚拟现实（VR)
功能框图
封装信息
