光迹融微LT-M1000D栅极驱动芯片
适用于 1ns 脉宽应用的 LT-M1000D 5V 7A/5A 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器
产品简介
LT-M1000D 设计简约，可实现 4ns 的极快传播延迟和 1ns 的最小脉冲宽度。LT-M1000D是一款单通道低侧驱动器，专为在高速应用（包括LiDAR、飞行时间以及任何涉及低侧驱动器的功率转换器）中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。栅极与 OUTH、OUTL 之间分别连接电阻，可针对上拉和下拉沿来独立调节开启和关断强度。
产品说明
01功能特性
用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器
◆ 工作频率：高达 60MHz
◆ 电源电压：5V
◆ 工作温度：-40~+125 °C
◆ 驱动强度：7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
◆ 传播延迟：小于 5ns
◆ 上升时间：小于 750ps (100pF 负载电容)
◆ 下降时间：小于 450ps(100pF 负载电容)
◆ UVLO 和过热保护
◆ 1ns 最小输入脉冲宽度
◆ 2mm×2mm DFN6L 封装
02产品应用
◆ 激光雷达
◆ 飞行时间激光驱动器
◆ 人脸识别
◆ E 类无线充电器
◆ VHF 谐振电源转换器
◆ 基于 GaN 的同步整流器
◆ 增强现实(AR)/虚拟现实(VR)
03优势
I、提供过载或故障情况下的欠压锁定(UVLO)和过热保护(TSD)。
II、LT-M1000D 采用 DFN6L 封装，满足车规级应用。
III、pin to pin 兼容友商的LMG1025。
功能框图
封装信息
